Beschichtung und Diffusion

Technische Daten
Sputteranlage ZH 620 EMERALD:

• Prozesskammer mit Schleuse
• 4 Sputterquellen (DC - bis 6 kW Leistung)
• 4''- und 6''-Substratdurchmesser
• wassergekühlter, rotierender Probenteller, Abstand zur Quelle variabel (70-110 mm)
• HF-Rückätzen
• Schichtdicken: 1 nm - einige µm
  
  

• Metalle: Al, Ni, Cr, Cu, Au, Ti, Ag, Mo
• Legierungen: z.B. TiNiHf, TiNiCu

Technische Daten:

• 3 Quellen:
  2 Elektronenstrahlverdampfer (4-Loch Tiegel)
  1 thermische Widerstandsheizung
• 4 Schwingquarzhalter
• optisches Schichtdickenmessgerät (GSM 1100)
• Probenheizung (max. 500°C)
• Glimmkathode (Ar, O₂)
• reaktives Aufdampfen (O₂)
• Schichtdicken: 2 nm - einige µm
• großer Abstand Quelle ↔ Probe (600 mm)
  
  

• Lift-Off Prozesse
• optische Schichten (Spiegel, Filter)
• Co-Evaporation von bis zu drei Quellen gleichzeitig (Legierungen)
• Multilayer
  
  

• Metalle: Au, Cr, Cu, Ni, Ti, Al, Ag, Fe. Co
• Dielektrika: Ti₂O₃, SiO₂
• Legierungen: FeNi, TiNiHf, TiNiCu, FeCo

Technische Daten
Beschichtungsanlage Multiplex:

• 1 Prozesskammer (250 - 350°C) mit Schleuse
• HF und LF Generator (13,56 MHz, 380 kHz)
• Rückätzen (Reinigung)
• Schichtdicken: 10 nm - einige µm
  
  

• N₂O, NH₃, CH₄, SiH₄, CF₄
• SiH₄ in He, PH₃ in He, N₂, Ar, O₂
  
  

• SiO₂-Schichten (2N₂O + SiH₄ → SiO₂ + 2H₂ + 2N₂
• Si₃N₄-Schichten (4NH₃ + 3SiH₄ → Si₃N₄ + 12H₂
• SiC-Schichten (CH₄ + SiH₄ → SiC + 4H₂
• SiO_xN_y-Schichten (integrierte Optik: Brechungsindexvariation n=1,46 - 2,20)
• Funktionsschichten (Stresseinstellung durch Frequenzmix)
• Amorphes Silizium
  
  

Technische Daten:

• 4 Quarzrohre:
  - 2 Rohre für thermische Oxidation (feucht + trocken)
  - 1 Rohr LPCVD: TEOS
  - 1 Rohr LPCVD: Poly-Si und Si-Nitrid
• automatisches Beladesystem
• Temperaturbereich bis 600 - 1200°C
  
  

• N₂O, NH₃, SiH₄, CF₄, PH₃ in He, B₂H₆ in He, N₂, H₂, O₂, Ar